Produktbeschreibung
Energien-Baugruppe Fuji-IGBT 1200V 450A 2MBI450VH-120-50 VFD
1. Features
Hochgeschwindigkeitsschaltung
Spannungslaufwerk
Induktionsarme Baugruppenzelle
2. Applications
Inverter fü R Bewegungslaufwerk
Wechselstrom-und Gleichstrom-Servolaufwerk-Verstä Rker
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Industrielle Maschinen, wie Schweiß Gerä Te
Bewertungen 3. Maximum und Eigenschaften
Grenzdaten (an Tc=25° C wenn nicht anders angegeben)
Felder | Symbole | Bedingungen | Maximale Bewertungen | Gerä Te | ||
Kollektor-Emitter-Spannung | VCES | 1200 | V | |||
Gatter-Emitter Spannung | VCES | ± 20 | V | |||
Kollektorstrom | IS | Kontinuierlich | Tc=100° C | 450 | A | |
Tc=25° C 520 | 520 | |||||
IS-Impuls | 1ms | 900 | ||||
- IS | 450 | |||||
- IS-Impuls | 1ms | 900 | ||||
Sammlerenergienableitung | PC | 1 Einheit | 2400 | W | ||
Grenzschichttemperatur | Tj | 175 | ° C | |||
Betriebsgrenzschichttemperatur (unter Schaltungsbedingungen) | Tjop | 150 | ||||
Gehä Usetemperatur | Tc | 125 | ||||
Speichertemperatur | Tstg | - 40 ~ +125 | ||||
Lokalisierungsspannung | Zwischen Terminal und Kupferunterseite (*1) | Viso | Wechselstrom: 1min | 2500 | VAC | |
Schraubendrehkraft | Montierung (*2) | - | 6.0 | N m | ||
Terminals (*3) | 5.0 |
Anmerkung *1: Alle Terminals sollten wä Hrend der Prü Fung zusammen angeschlossen werden |
Anmerkung *2: Empfehlenswerter Wert: 3.0-6.0 nm (M5 oder M6) |
Anmerkung *3: Empfehlenswerter Wert: 2.5-5.0 nm (M6) |
pic 4. Product
Irgendwelche, die an unseren Feldern interessiert werden, zö Gern nicht, mit mir in Verbindung zu treten
Kontakt: Abby
Telefon: 86 13459161645